BOE溶液（缓冲氧化物蚀刻液）温度每降低10℃，其蚀刻速率会下降约30%-50%。这一数据基于实验条件下25℃至80℃的温度区间观测，当温度从80℃降至25℃时，氮化硅的蚀刻时间显著延长，结构完整性差异明显。

温度对BOE溶液蚀刻速率的决定性作用可从化学动力学和溶液特性两方面解释。BOE由49%与40%氟化铵按1:6混合，其活性成分HF2-离子的生成速率直接受温度调控。温度降低会减缓NH4F的离解过程，减少游离氟离子供应，导致HF与F-反应生成HF2-的效率下降。实验表明，80℃时HF2-浓度比25℃高2倍以上，这是高温蚀刻速率更快的主因。低温会增大溶液黏度，削弱反应物扩散能力。例如在40℃以下，BOE黏度增加使蚀刻剂难以有效接触氮化物表面，需额外克服能垒。

权威研究对比了40℃-90℃的蚀刻数据：80℃时氮化硅蚀刻速率达8nm/min，而40℃时仅3nm/min，降幅达62%。温度降至25℃后，速率进一步降至1.5nm/min，与高温差值扩大至80%。这种非线性衰减源于阿伦尼乌斯方程中的活化能效应——温度每降10℃，分子平均动能减少约3%，但实际反应速率降幅更大，因需同时克服多重能垒。

工业实践中，温度控制需权衡效率与精度。例如微电子制造中，80℃蚀刻可缩短工艺时间至5分钟，但可能造成侧向钻蚀；25℃虽需30分钟以上，却能获得陡直剖面。最新工艺采用梯度控温法，先在60℃快速去除表层氧化物，再降至35℃精细修整，兼顾生产率和结构保真度。这种分级策略印证了温度对蚀刻速率的可控性价值。